사즉생(死則生), 삼성전자 HBM4 시장에서 반드시 승리한다

2025년 삼성전자 주주총회

1. 삼성전자의 HBM4 시장 진입: 배경과 도전

삼성전자는 HBM(고대역폭 메모리) 시장에서 경쟁사인 SK하이닉스와의 격차를 줄이기 위해 HBM4 개발에 사활을 걸고 있다. 현재 HBM 시장에서 SK하이닉스가 주도적인 위치를 차지하고 있으며, 엔비디아 등 주요 고객사들도 하이닉스 제품을 우선적으로 채택하는 상황이다. 삼성전자가 HBM4 시장에서 반드시 성공해야 하는 이유는 단순한 경쟁 우위를 확보하는 것이 아니라, AI 반도체 시대의 메모리 패권을 장악하기 위함이다【7】【8】.

2. 삼성의 HBM4 전략: 기술과 차별화 포인트

삼성전자는 차세대 HBM4에서 두 가지 핵심 기술을 적용해 경쟁력을 확보하려 한다.

1. 하이브리드 본딩 기술 도입
   기존의 범프 본딩 방식과 달리, 하이브리드 본딩 방식은 칩 사이의 거리를 획기적으로 줄여 데이터 전송 속도를 높이고 전력 효율을 개선하는 것이 특징이다. 삼성은 이 기술을 HBM4부터 본격적으로 적용하여 성능과 수율을 동시에 확보하려 한다【8】.
2. 1c D램 및 4나노 파운드리 기술 활용
   삼성전자는 기존 HBM3E에서 사용했던 1a D램을 넘어, 더욱 발전된 1c D램을 HBM4에 적용할 예정이다. 반면, 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론은 HBM4에서도 1b D램을 유지할 것으로 예상된다. 이를 통해 삼성전자는 HBM4의 성능을 대폭 향상시키고, 시장에서 기술 우위를 확보하려는 전략을 펼치고 있다【9】.
3. 로직 다이(베이스 다이) 최적화
   HBM4에서 중요한 역할을 하는 로직 다이(베이스 다이) 또한 개선될 예정이다. 삼성전자는 기존의 메모리 업체 방식에서 벗어나 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 적극 활용하여 4나노 공정을 적용할 계획이다. 이를 통해 HBM과 GPU 간 데이터 이동 속도를 향상시키고, 엔비디아 등 고객사의 요구를 충족시키려 하고 있다【11】.

3. 시장 전망과 과제

삼성전자는 2025년부터 본격적인 HBM4 생산을 목표로 하며, 이를 위해 평택 P4 공장에서 관련 생산 설비를 구축하고 있다. 하지만 삼성전자가 HBM4에서 반드시 성공하기 위해서는 몇 가지 도전 과제가 남아 있다.

1. 수율 확보의 문제
   삼성전자는 HBM3E에서도 수율 문제로 어려움을 겪었고, 이는 HBM4에서도 중요한 변수가 될 것이다. 1c D램과 4나노 공정을 활용한 로직 다이를 안정적으로 생산할 수 있는지가 관건이다【10】.
2. 고객사 확보
   SK하이닉스가 이미 엔비디아, AMD 등 주요 AI 반도체 업체와 긴밀한 협력 관계를 구축한 만큼, 삼성전자가 HBM4를 통해 이들과의 협력 기회를 확보하는 것이 필수적이다【8】.
3. 가격 및 생산 효율성
   고성능 메모리 시장에서 가격 경쟁력 또한 중요한 요소다. 삼성전자는 기술력을 확보하면서도 원가 절감을 통해 시장에서 경쟁력을 유지해야 한다【9】.

4. 결론: 삼성전자의 HBM4 시장에서의 필승 전략

삼성전자는 HBM4 시장에서 후발주자지만, 1c D램, 하이브리드 본딩 기술, 4나노 파운드리 공정 등으로 차별화를 시도하고 있다. AI 반도체 시대에서 메모리 시장을 선도하기 위해, 삼성은 ‘사즉생(死則生)’의 각오로 이번 HBM4 경쟁에 임하고 있다. 성공 여부는 기술력뿐만 아니라 수율과 고객 확보 전략에 달려 있으며, 2025년 삼성전자의 행보가 반도체 시장의 판도를 바꿀 중요한 변수가 될 것이다【7】【8】【9】【10】【11】.