삼성, 초격차 재도전…EUV 앞세워 D램·파운드리 ‘투트랙 반격’ 시동

 

 

서론: 메모리 강자의 재정비, 반격의 서막

삼성전자가 최첨단 반도체 기술인 EUV(극자외선) 노광 공정에 대규모 선제 투자를 단행하며, 글로벌 시장 재패를 위한 반격의 시동을 걸었다. D램과 파운드리 양대 축을 동시에 강화하는 ‘투트랙 전략’이다. 최근 메모리 반도체 업황이 회복 조짐을 보이고, 인공지능(AI) 수요 확대로 고성능 반도체의 중요성이 커지자 삼성은 기술 초격차 회복을 위한 ‘결정적 타이밍’으로 판단했다. TSMC, 인텔 등 경쟁사들이 빠르게 공정 미세화를 추진하는 가운데, 삼성은 EUV 기반의 차세대 라인 확대로 글로벌 시장의 주도권을 다시 쥐겠다는 전략이다.

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본론: EUV 중심의 대전환, D램·파운드리 모두 가속

이번 투자의 핵심은 차세대 EUV 공정 적용 확대다. 삼성전자는 평택캠퍼스와 기흥·화성 라인을 중심으로 EUV 전용 라인을 확충하고, 차세대 D램과 시스템 반도체 생산 능력을 동시에 끌어올릴 계획이다. 특히 10나노(㎚)급 미세공정을 기반으로 한 **‘HBM4 D램’과 ‘3나노 파운드리’**가 주요 투자 대상이다.

메모리 부문에서는 인공지능(AI) 서버와 고성능 그래픽처리장치(GPU)에 쓰이는 HBM(고대역폭메모리) 수요 폭증이 기회를 만들고 있다. 삼성은 이미 HBM3E 양산을 시작했고, 내년부터 HBM4를 시장에 공급할 예정이다. 이번 투자는 그 생산 효율성을 극대화하고, TSMC·SK하이닉스 등 경쟁사 대비 안정적인 공급 능력을 확보하기 위한 포석이다.

파운드리(위탁생산) 분야에서도 전환점이 온다. 삼성은 3나노 GAA(Gate-All-Around) 구조를 업계 최초로 도입하며 기술 리더십을 강조해왔지만, 수율과 생산성 측면에서 TSMC에 다소 뒤처져 있었다. 이번 EUV 설비 확대와 공정 자동화 투자로 생산 안정성을 확보해, AI 반도체·자동차용 칩 시장 공략을 강화할 전망이다. 특히 미국 오스틴과 텍사스 테일러 공장, 일본 요코하마 R&D 센터 등 글로벌 거점 간 협업도 본격화되고 있다.

산업계에서는 이번 투자를 ‘삼성의 전략적 전환점’으로 평가한다. 메모리 중심에서 시스템 반도체로 사업 포트폴리오를 확장하며, AI·클라우드 시대의 핵심 반도체 기업으로 입지를 굳히려는 의도다. 글로벌 반도체 공급망 재편 속에서 기술 리더십을 확보하지 못하면 단기간에 시장 주도권이 흔들릴 수 있기에, 삼성은 이번 결정을 ‘공격적이지만 불가피한 선택’으로 보고 있다.

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결론: 초격차 복원의 첫 단추, 승부처는 속도와 품질

삼성전자의 이번 EUV 선제 투자는 단순한 설비 확충이 아니라, **‘기술·속도·신뢰’**를 중심으로 한 시장 재장악 선언에 가깝다. 메모리 반도체의 패러다임이 ‘용량 경쟁’에서 ‘속도·전력 효율 경쟁’으로 바뀌고 있는 만큼, 공정 미세화와 신소재 기술 확보는 향후 10년을 좌우할 핵심 변수다.

관건은 수율 안정과 AI 수요 대응 속도다. 기술은 앞서 있지만 생산 효율과 납기 관리에서 완벽한 신뢰를 구축해야 한다. 또한 삼성은 단기 실적보다 장기 기술 투자로 ‘AI 반도체 생태계’의 중심축으로 자리매김해야 한다.

결국 이번 투자는 ‘초격차 복원의 신호탄’이다. 세계가 AI 중심으로 재편되는 지금, 삼성은 EUV를 무기로 다시 한번 글로벌 반도체 판도의 중심으로 복귀를 노린다. 반도체 왕좌를 되찾을 수 있을지, 그 해답은 기술력과 속도의 균형 속에서 드러날 것이다.